报告人：饶世国 博士 美国加州美高森美（Microsemi）微电子集团公司技术院士

时间：5月11日 下午3:00-5:30
地点：力一楼227会议室

报告内容简介:

　  讲座内容包括芯片工艺和电子封装技术及趋势；可靠性基本理论及在微电子领域的应用；晶元级可靠性破坏机理；电子封装可靠性破坏机理；大规模集成电路可靠性设计；先进电子封装可靠性设计；芯片、封装和板级可靠性的耦合问题。

报告人简介：

　  饶世国博士：现任美国加州美高森美（Microsemi Fellow)微电子集团公司的技术院士，也是国际电子工程师协会的高级会员。他目前负责公司可靠性部门，主要研究最新工艺和材料引起的新的可靠性破坏机理以及芯片设计过程中可靠性设计方案。这些机理包括金属线结构的电子和应力迁移；晶体管栅极击穿，电压和温度引起的晶体管非稳定性，热电子冲击以及芯片和封装耦合可靠性问题。
　  饶世国博士一九九二年初毕业于中国科技大学，获得固体材料和力学博士学位。毕业后任教于中国科技大学。一九九四年被新加坡国家科技局引进人才计划聘为研究员。一九九七年开始在美国西北大学可靠性和破坏预防研究中心做研究员。2000开始进入微电子工业界从事可靠性研究和应用，先后任职于摩托罗拉电子和爱立信公司担任高级和主任工程师。2004年加入美高森美先后担任技术委员会高级委员，首席工程师和技术院士职称。
　  饶博士在高等芯片的可靠性领域发表三十多篇论文。在多个国际学术会议作大会报告和分会主席。自2012年起担任国际可靠性物理大会技术委员会成员。负责和参与多个国际标准的制定。