【报告人】申胜平 西安交通大学教授
【时  间】2020年10月11日10:30
【地  点】力一楼239会议室

报告摘要：
挠曲电效应是指非均匀变形引起的极化，它能提高智能结构中的能量转换效率，为智能结构设计提供新方法，在能源、微纳电子、国防等领域具有重要应用价值。随着微纳米技术的发展，制造领域呈现微型化和超精密化趋势，并形成日益巨大的市场。为获更优性能及器件微型化的需要，国际上趋于将智能器件制备成纳米尺度复合结构，纳米材料与结构的特征尺寸从几百到几个纳米，在宏观尺度中可被忽略的挠曲电效应及界面能此时起到非常重要的作用。如何正确考虑挠曲电效应是其力电耦合性能关键。本报告介绍我们近年在挠曲电理论、有限元分析、实验测试及器件设计方面的研究进展，从理论、计算和实验三方面阐述挠曲电效应对力电耦合性能的影响，探讨通过挠曲电效应，提高智能结构的换能效率及设计新型器件的可能，介绍了挠曲电冲击传感器、挠曲电驻极体等应用。

报告人简介：
申胜平，博士，教授，西安交通大学航天航空学院院长、机械结构强度与振动国家重点实验室副主任。主要研究方向为力化学耦合理论、挠曲电效应与器件设计、飞行器结构设计。教育部高层次人才，国家杰出青年科学基金获得者，中组部高层次人才，科技部中青年高层次人才，“百千万人才工程”国家级人选，国家有突出贡献中青年专家。教育部、国家外专局智能飞行器111引智基地负责人。国务院学位委员会力学学科评议组成员、教育部高等学校航空航天类专业教学指导委员会委员、中国复合材料学会常务理事、ASME J. Appl. Mech. 和Acta Mechanica Solida Sinica副主编、中国力学学会固体力学专业委员会副主任等。2010年获教育部自然科学一等奖（排名第2），2013年获国家自然科学二等奖（排名第2），2019年获教育部自然科学一等奖（排名第1）。在PRL、JMPS等国际学术期刊发表论文170余篇。授权发明专利20余项。